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 Kyocera-KC200GHT-2 oder Sanyo HIP-215-NHE Nächstes Thema anzeigen
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Autor
pruse
Stammmitglied
Stammmitglied



Angemeldet: 25.05.2006
Beiträge: 35

BeitragVerfasst am: 04.08.2006, 22:04 Nach oben

Hallo arbeite selber bei einen Solarteur und habe ausschließlich Sanyo und ein Paar Sharp Module montiert jetzt bin ich auf die Kyocera-KC200GHT-2 Module gestoßen und mochte diese mal mit den Sanyo HIP-215-NHE vergleichen da ich meine Anlage (Sanyo HIP-215-NHE Module)erweitern möchte und keine Erfahrungen mit den Kyocera Modulen habe.

Mich würde das Preis Leistungsverhältnis der beiden Module interessieren welche der Module ist das bessere bezüglich Ertrag kwh/p und wie sied es mit der Alterung aus. Muss man davon ausgehen das das Sanyo Modul schneller an Leistung verliert. Bin gespannt für welches Modul Ihr euch entscheidet und welche vor und nachteile die Module haben.

Mit freundlichen Grüßen

Jens
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Verfasst am: Nach oben

blabla
Forumsinventar
Forumsinventar



Angemeldet: 08.06.2005
Beiträge: 661
Wohnort: 86551 Aichach

BeitragVerfasst am: 06.08.2006, 17:28 Nach oben

Der Ertrag wird mit den Sanyos größer sein. Beim Preis-Leistungsverhältnis wär vielleicht ein Preis ganz hilfreich Wink

Das Altern kannst in der Regel außer acht lassen. Sowohl Mono- als auch Polykristalline Zellen altern innerhalb von 10 Jahren innerhalb der Messtoleranz. Wie es bei Sanyo ist, wird sich zeigen, da dort auch amorphes Silizium mit eingearbeitet ist. Kann mir vorstellen, dass hier vielleicht ein Effekt messbar wäre

_________________
2x Sunways NT 6000, 52x Sanyo HIP 190 BE3, 9,88kWp

WR1: 3 Strings a` 8 Module, 1 Temperatur- und Einstrahlungssensor, Neigung 30°, Azimut 180°
WR2: 1 String a` 10 Module, 2 Strings a` 9 Module, Neigung 40°, Azimut 180°
Luke
Forumsinventar
Forumsinventar



Angemeldet: 25.11.2005
Beiträge: 1866

BeitragVerfasst am: 06.08.2006, 18:05 Nach oben

Zitat blabla:

Zitat:
Wie es bei Sanyo ist, wird sich zeigen, da dort auch amorphes Silizium mit eingearbeitet ist


...die Befürchtung der Degradation von SANYO Modulen durch das
eingebaute amorphe Silizium ist sicher zunächst nicht unberechtigt...
...habe mir aber erklären lassen, das es nicht dazu kommen kann,
weil das amorphe Silizium nicht zur Energiewandlung verwendet wird...
...es dient lediglich dazu den Ladungsträgertransport zwischen p-n bzw.
n-p Übergang 'störungsfreier' zu machen...

Zitat SANYO:

Zitat:
This thin layer is not responsible for the generation of electricity as in a-Si cells. Therefore, HIT cells are not affected at all by the characteristic degradation of amorphous cells with today's technology.


...aber wie blabla schon schreibt...es wird sich zeigen... Wink

respectfully

Luke
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